专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于应力调控的基钙钛薄膜及其制备方法、光电器件-CN202211294766.6在审
  • 王鸣魁;于海譞;李雄杰;张治国 - 华中科技大学
  • 2022-10-21 - 2023-01-17 - H10K71/00
  • 本发明公开了一种基于应力调控的基钙钛薄膜及其制备方法、光电器件,其中,制备方法包括:将基钙钛膜和配体溶液置于同一腔室内并通过抽气使腔室真空度低于1000Pa后停止抽气,其中,配体溶液为含胺基或巯基官能团的溶液;维持腔室密闭状态,基钙钛与溶剂络合形成具有抵抗热应力冲击能力的中间固膜,且配体溶液持续挥发充满腔室形成配体氛围,配体与中间固膜未配位的结合以减少表面缺陷;将中间固膜取出后退火。通过分两步调节应力冲击并把握缺陷处理的时机,在真空干燥时利用配体与中间固膜未配位的结合,弱化钙钛表面的悬挂键和缺陷。再进行退火处理,使退火期间导致的晶格畸变减小,最终提高基钙钛薄膜的质量。
  • 基于应力调控锡基钙钛矿薄膜及其制备方法光电器件
  • [发明专利]一种铅混合钙钛薄膜、其制备方法及应用-CN201610205075.2有效
  • 麦耀华;范建东;刘冲;李红亮;张翠苓 - 河北大学
  • 2016-04-05 - 2018-11-06 - H01L51/46
  • 本发明提供了一种铅混合钙钛薄膜、其制备方法及应用。本发明混合钙钛薄膜的制备方法具体是:将PbRE2和SnRE2分别溶解于DMF和DMSO的混合溶剂,分别形成PbRE2溶液和SnRE2溶液;RE为Cl、Br或I;量取PbRE2溶液和SnRE2溶液,并使两者混合,形成前驱;将前驱旋涂于基片上;再在基片上旋涂CH3NH3RE的异丙醇溶液,退火后即得铅混合钙钛薄膜。本发明采用两步法制备铅混合钙钛薄膜,不仅能够有效地减少薄膜重金属铅的含量,而且可以提高薄膜的覆盖度及质量,减少薄膜的针孔,减少漏电路径,提高铅混合钙钛太阳能电池的光电转换效率。
  • 一种混合钙钛矿薄膜制备方法应用
  • [发明专利]一种基于苯乙基氯化胺制备纯高指数垂直取向的基钙钛薄膜的方法-CN202010046625.7有效
  • 王照奎;李萌 - 苏州大学
  • 2020-01-16 - 2023-04-28 - H10K71/12
  • 本发明属于太阳能电池领域,公开了一种基于苯乙基氯化胺制备纯高指数垂直取向的基钙钛薄膜的方法。该方法通过引入一定量的苯乙基氯化胺到基钙钛前驱体溶液,在不同的特定温度控制其二维维结构中高指数和低指数取向的生长,通过苯乙基氯化胺对基钙钛晶体结晶的重结晶诱导,梯度退火处理有效的抑制了低指数结构的生长,实现了全覆盖,纯高指数二维晶体垂直于基底生长的基钙钛薄膜。最终制备的光伏器件,其室内和室外的能量转换效率都有了明显的提升,晶界处的基晶体实现了很好的水氧隔绝效果,提升了基器件的稳定性。该方法有利于制备高效、稳定的基钙钛室内光伏器件,便于物联网时代智能家居终端的能源供应。
  • 一种基于乙基氯化制备纯相高指数垂直取向锡基钙钛矿薄膜方法
  • [发明专利]-法生长钙钛单晶的方法-CN201610908681.0有效
  • 刘生忠;姚准;赵婉亘 - 陕西师范大学
  • 2016-10-18 - 2019-03-05 - C30B29/12
  • 本发明一种法生长钙钛单晶的方法,操作简单、对周围环境要求低、无毒不污染环境,所得单晶结晶度好、稳定性高。所述的方法为,取提供源的溶液,滴加在与其不互溶且含有卤代物的溶液,在形成的分离界面处反应,生长出钙钛单晶。本发明采用法反应的方式,滴加互不相溶的两种相形成分层,两直接在界面分层处快速反应生长出MASnI3钙钛单晶,加上其所限定的温度调节,即可生长出环境友好型、形状规则、具有操作简单、反应迅速,对条件要求低、成本低、成功率高、无毒无污染的特点;为钙钛材料的发展提供一种新思路、新方法。
  • 两相生长钙钛矿单晶方法

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